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Une nouvelle mémoire 1000 fois plus rapide que le SSD.

Deux entreprises : Micron Technology et Intel, viennent de révéler avoir mis au point une nouvelle technologie de mémoire révolutionnaire, 1000 fois plus rapide que le SSD.

3D_XPoint_Die_1000-640x353Cette technologie baptisée 3D XPoint, permet d’obtenir des mémoires considérablement plus rapide que tout ce qui a pu être fait jusqu’à aujourd’hui ! Intel et Micron Technology avance le chiffre de : 1000 fois plus rapide que la mémoire NAND Flash utilisée dans les cartes mémoires et les stockages SSD.
Le temps d’accès au disque de la technologie d’Intel et de Micron Technology se compte en nanoseconde. Quand on sait que débit d’accès à des disques SSD se compte en microseconde et un disque dur traditionnel affiche des temps en milliseconde, le progrès accompli est considérable.
Intel a fait savoir que ces mémoires devraient être disponibles d’ici la fin de l’année et une commercialisation pourrait être prévue dans le courant de l’année 2016. Autre atout non négligeable de ces mémoires, elles ne nécessiteront pas de transistors ce qui impliquera immédiatement une baisse du coût de fabrication, ce qui devrait avoir un impact sur le prix final.

imft-3dxpointMicron et Intel expliquent qu’un disque SSD équipé d’une telle technologie serait capable d’écrire 20 To de données 2 fois par jour pendant 5 ans avant de rencontrer les premiers soucis. Actuellement, les meilleurs SSD ne sont capables d’écrire que 40 Go quotidiennement pour tenir sur la même durée !
Cette mémoire pourrait remplacer la mémoire vive de nos appareils, ainsi que les composants de stockage, (mémoire Flash (SDD et autres et les HDD). Les chiffres annoncés sont impressionnants : une densité 10 fois supérieure à de la DRAM classique et une vitesse 10 fois supérieure à la mémoire de type NAND Flash. Les constructeurs pourront incorporer 10 fois plus de mémoire à surface égale ou a contrario réduire la place consacrée à la mémoire pour libérer de l’espace, et en particulier celle des batteries.
La technologie d’Intel et Micron pourrait se trouver une place intermédiaire, entre la DRAM et la mémoire de type NAND Flash, ce qui aurait pour conséquences d’améliorer la vitesse d’accès aux données, et la fiabilité de nos appareils.